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¥ 6.81842
物品 SKU: | SI4599DY-T1-GE3 |
MPN: | SI4599DY-T1-GE3 |
制造商: | VISHAY |
金额 | 内地交货 (含增值税) |
|
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1+ | ¥ | 6.81842 |
50+ | ¥ | 4.98556 |
100+ | ¥ | 4.40135 |
250+ | ¥ | 3.72787 |
500+ | ¥ | 3.31203 |
1000+ | ¥ | 2.99337 |
2500+ | ¥ | 2.66567 |
7500+ | ¥ | 2.40012 |
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制造商 | VISHAY |
晶体管类型 | N/P-MOSFET |
技术 | TrenchFET® |
极化 | 单极 |
漏极-源极电压 | 40/-40V |
漏极电流 | 6.8/-5.8A |
耗电 | 3.1/3W |
封装 | SO8 |
栅极-源极电压 | ±20V |
开启状态电阻 | 62/42.5mΩ |
安装方式 | SMD |
栅极电荷 | 38/20nC |
包装类型 | 卷, 胶带 |
通道种类 | 增强 |
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