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¥ 6.28732
物品 SKU: | SI3459BDV-T1-GE3 |
MPN: | SI3459BDV-T1-GE3 |
制造商: | VISHAY |
金额 | 内地交货 (含增值税) |
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1+ | ¥ | 6.28732 |
5+ | ¥ | 4.97652 |
50+ | ¥ | 3.62165 |
100+ | ¥ | 3.32107 |
500+ | ¥ | 2.75381 |
3000+ | ¥ | 2.31085 |
9000+ | ¥ | 2.09841 |
30000+ | ¥ | 1.92213 |
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制造商 | VISHAY |
晶体管类型 | P-MOSFET |
技术 | TrenchFET® |
极化 | 单极 |
漏极-源极电压 | -60V |
漏极电流 | -2.9A |
脉冲漏极电流 | -8A |
耗电 | 3.3W |
封装 | TSOP6 |
栅极-源极电压 | ±20V |
开启状态电阻 | 288mΩ |
安装方式 | SMD |
栅极电荷 | 12nC |
包装类型 | 卷, 胶带 |
通道种类 | 增强 |
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